昕致科技 SiC MOSFET

昕致科技 SiC MOSFET器件
电压等级覆盖650V-1700V,电阻等级13mΩ-1Ω,满足不同的市场应用需求,650V系列产品支持零关断工作,可直接平替SJ;提供市场主流的TO封装形式,以及TOLL等新型封装。昕致科技650V系列SiC MOSFET在15~18V驱动电压下性能最优,即使在12.5V驱动时其导通电阻仍优于传统Cool MOS,实际耐压高达880V。在100–300W快充和LED开关电源等高频电力电子系统中,相较于传统超结MOS方案,650V SiC MOS方案可实现效率提升3%–5%、体积缩小25%–30%,同时降低系统成本,适用于PD电源、LED电源、TV电源、服务器电源、打印电源、充电器等高频电力电子应用。
Part No.
Package
BVDS(V)
RDS(on) (mΩ)
VGS(th)(V) (Typ.)
Continuous Drain Current(A)(max)
IDSS(μA) (Typ.)
VSD(V)(Typ.)
TJ(max)(℃)
Data Sheet
NKW1KP080D31 800 1K 0V/15V
NKW400P090D31 900 400 0V/15V
NKW600P090D31 900 600 0V/15V
NKW13P120D11 1200 13 -4V/18V
NKW40P120D11 1200 40 -4V/18V
NKW80P120D11 1200 80 -4V/18V
NKW50KP170C11 1700 50K -4V/18V
NKW35P075D11 750 35 -4V/18V
NKW45P075D21 750 45 0V/18V
NKW70P075D21 650 70 0V/18V
NKW100P075D21 650 100 0V/18V
NKW140P080D21 650 140 0V/18V
NKW190P080D21 650 190 0V/18V
NKW280P080D21 650 280 0V/18V
NKW410P080D21 800 410 0V/18V
NKW680P080D21 800 680 0V/18V
NKW300P090D21 900 300 0V/18V
NKW420P090D21 900 420 0V/18V
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