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SiC MOSFET
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1200V/7mΩ SiC MOSFET器件
产品特点: · 超低导通电阻实现低导通损耗 · 工作电流高,栅极寄生电容低 · 正温度系数特性易并联使用,反向漏电流低 · 开尔文引脚降低开关损耗 · TO247PLUS封装实现低热阻 行业应用: · 汽车主驱 · 大电流充电器 · 断路器 · 不间断电源 · 通用驱动器 · 太阳能功率优化器
BVDS(V)
1700
650
1200
RDS(on) (mΩ)
650
45
1000
7
17
21
30
40
60
80
Package
TO-247-4L Plus
TO-220C-2
Bare-die
TO-247-2
TO-247-3
TO-252
TO-263-2
TO-247-4
TO-263-7
SMB
Part No.
Package
BVDS(V)
RDS(on) (mΩ)
VGS(th)(V) (Typ.)
Continuous Drain Current(A)(max)
IDSS(μA) (Typ.)
VSD(V)(Typ.)
TJ(max)(℃)
Data Sheet
N1M065030PD2
TO-247-3
650
30
2.6
70
1
4.2
175
N1M065060PD2
TO-247-3
650
60
2.6
39
1
4.2
175
N1M065030PK2
TO-247-4
650
30
2.6
70
1
4.2
175
N1M065060PK2
TO-247-4
650
60
2.6
39
1
4.2
175
N1M120021PN
TO-263-7
1200
21
2.7
100
1
4.1
175
N1M120040PN2
TO-263-7
1200
40
2.7
60
1
4.1
175
N1M120080PN2
TO-263-7
1200
80
2.7
36
1
4
150
N2M120013PP0
TO-247-4L Plus
1200
13
3.3
223
1
4
175℃
N1M17001KPN2
TO-263-7
1700
1000
3
5
1
4.2
150
N1M170650PD2
TO-247-3
1700
650
2.6
7.0
1
4.2
150
N1M170045PK2
TO-247-4
1700
45
2.6
72
1
3.6
150
N1M170045PD2
TO-247-3
1700
45
2.6
72
1
4.5
150
N1M17001KPD2
TO-247-3
1700
1000
3.0
5
1
4.2
150
N2M120007PP0
TO-247-4L Plus
1200
7
2.4
310
4.1
175
N1M120021PK3
TO-247-4
1200
21
2.7
100
1
4.1
175
N1M120040PK3
TO-247-4
1200
40
2.7
60
1
4.1
175
N1M120080PK-A
TO-247-4
1200
80
2.7
36
1
4
150
N1M120021PD3
TO-247-3
1200
21
2.7
100
1
4.1
175
N1M120040PD3
TO-247-3
1200
40
2.7
60
1
4.1
175
N1M120080PD1
TO-247-3
1200
80
2.7
36
1
4
150